篇一：物理实验教程——近代物理实验-第二章
第二章 微波测量技术实验
微波（microwave）是一种波长较短的电磁波，频率范围约为300 MHz~300GHz，对应波长范围约为1m~1mm。微波波段还可细分为分米波（波长为1m至10cm），厘米波（波长10cm至1cm）和毫米波（波长为1cm至1mm）。波长在1毫米以下至红外线之间的电磁波称为亚毫米波或超微波，这是一个正在开发的THz波段。
微波技术是近代发展起来的一门尖端科学技术，不仅在雷达、通讯、导航、电子对抗、空间技术、工农业生产的各个方面有着广泛的应用，而且在高能粒子加速器、受控热核反应、射电天文、气象观测、分子生物学、等离子体、遥感技术等当代尖端科学研究中也是一种重要手段。微波测量技术（microwave measurement technique）作为微波技术的实验部分，在科学研究和工程实际中具有重要作用。例如：微波加速器可研究原子和分子结构，微波衍射仪可用来研究晶体结构，微波波谱仪可测定物质的许多基本物理量，微波谐振腔可用来测量物质的常数和介电损耗，等等。因此，微波测量技术已成为重要的近代物理实验技术。
微波测量技术实验的基本目的包含“学微波”和“用微波”两个方面：（1）学习微波基础知识和掌握微波基本测量技术；（2）学习用微波作为观测手段或处理方法来研究物理现象的基本原理和实验方法。通过一系列实验，了解微波信号（microwave signal）的产生特点、工作状态及传输特性，了解常用微波器件（microwave devices）的基本性能和使用方法；掌握微波传输与测量系统的基本组成和调试技术，掌握频率、功率及驻波比等基本参量的测量技术，掌握微波传输系统的阻抗测量和匹配技术；学会微波网络特性参数测量的基本方法和技术，学会微波天线基本特性参数的测量方法和技术，学会介质材料电磁特性参数的微波测量方法和技术。
本章共包括5个实验项目，分别为微波测量系统调试与频率测量、微波晶体检波律测定与驻波比测量、二端口微波网络散射参量测量、微波天线方向图与极化特性测量、复介电常数的微波测量，各实验项目的实验内容都设计了基础性实验内容和设计性实验内容，后者的设计主要结合了石油或能源应用特色。
实验2-1 微波测量系统调试与频率测量
在微波波段因工作频率的升高使普通导线的趋肤效应和辐射效应增大，传输微波能量必须改用微波传输线，因此微波测量系统的原理和结构与普通电路测量系统的均不同。微波测量系统的调整是实现微波测量的基础，主要包括信号源、测量线和阻抗匹配等方面的调整，目的是使测量系统达到最佳工作状态。本实验在理解微波传播特性的基础上，重点学习微波测量系统的基本组成和常用微波器件，掌握微波测量系统的调整方法和技术。
【预习要求】
1．矩形波导中传播的微波有哪些特点？
2．微波测量系统主要由哪几部分组成？各部分有什么作用？
3．测量微波频率有哪些基本方法？各怎样观测？
4．仔细阅读使用说明书，学会微波信号源、各微波器件和选频放大器的基本使用方法，了解使用注意事项。
【实验原理】
一．波导中微波的传输特性
1．导行电磁波的基本概念
由导波系统所引导、沿一定方向传播的电磁波称为导行波。电场E和磁场H是空间坐标x、y、z三个方向函数的导行波，若z方向为传播方向即纵向，则x、y方向为横向。传播的导行波一般可有横电磁波、横电波和横磁波三种类型的波型。
（1）横电磁波（TEM波，transverse electromagnetic wave，TEM wave）
TEM波的电场E和磁场H均无纵向分量，即Ez?0，Hz?0。电场E和磁场H，都是纯横向的。TEM波沿传播方向的分量为零，无法在波导中传播。
（2）横电波（TE波，transverse electric wave，TE wave）
TE波也称为磁波（H波），其特征是Ez?0，而Hz?0；即电场E是纯横向的，而磁场H则具有纵向分量。
（3）横磁波（TM波，transverse magnetic wave，TM wave）
TM波也称为电波（E波），其特征是Hz?0，而Ez?0；即磁场H是纯横向的，而电场E则具有纵向分量。
TE波和TM波均为色散波（dispersive wave），TEmn波和TMmn波均能在矩形波导中传输，m代表电场或磁场在x方向半周变化的次数，n代表电场或磁场在y方向半周变化的次数。 2．无限长波导中微波的传输特性
为了避免导线辐射损耗和趋肤效应等的影响，需采用微波传输线传播微波。常用的微波传输线有平行双线、同轴线、带状线、微带线、金属波导管及介质波导等。引导微波传播的空心金属管称为波导管，简称波导。在这一实验中采用的是矩形波导（rectangular waveguide）。电磁波在波导内有限空间的传播与在自由空间中的传播不同。在波导内不能传播TEM波，波导内所传播的电磁波必定存在着电磁场的传播方向分量。波导中波型的场结构是分析和研究波导中各种问题及设计波导器件的基础。
在实际应用中，一般把波导设计成只能传输单一波型。最常使用的标准矩形波导中，只能传播TE10波即H10波（m=1，n=0）。下面以TE10波为例，具体分析这种波型的电磁场结构。
如图2-1-1所示，设矩形波导横截面为a×b，波导壁为理想导体，则由麦克斯韦方程组和边界
条件可推导出矩形波导内沿z方向传播的TE10波的各场分量为
图2-1-1 矩形波导示意图
?Ey?E0sin()e?a??Ex?Ez?0???x?Hx??E0sin()ej(?t??z)? （2-1-1） ??a????xHz?jE0cos()ej(?t??z)???aa??Hy?0??xj(?t??z)
?、?分别为管内介质（一般为空气）的磁导
率和介电常数，?为相位常数，??2?/?g，g为波导波长（waveguide wavelength）。
式中?
为输入管内电磁波的角频率，??? （2-1-2） ?????????g?式中?c?2a，称为波导截止波长；?为自由空间波长。
（1）截止波长（cut-off wavelength）
存在截止波长?c?2a，只有波长???c的电磁波才能在矩形波导中传播。
（2）波导波长、相速和群速
波导波长?g??，由于光速c??f，相速度vg??gf，因此波在波导中传播的相速度大于光速。这里的相速度只是位相变化的速度，并不是波导中电磁波能量的传播速度（群速度u）。vg、u和c的关系为
vgu?c2 （2-1-3）
从式（2-1-3）中可看出，群速度u小于光速c。
（3）电磁场结构
TE10波的电磁场结构即电磁场振幅随x、y的分布如图2-1-2所示。TE10波中电场E只有Ey分量，垂直于波导宽壁；磁场H只有Hx及Hz分量，在平行于波导宽壁的平面内。沿z方向上，Ey和Hx的分布、变化规律相同，Ey最大处Hx也最大，Ey为零处Hx也为零。在xy截面上，沿x方向Ey
和Hx皆呈正弦分布，在x?0和x?a处为零，在x?a/2处为最大；Hz呈余弦分布，在x?0和x?a处最大，在x?a/2处为零。可见，电磁场在波导宽边上形成一驻波半波。而沿y方向Ey、Hz和Hx均无变化，表示电磁场沿y方向是均匀分布的。符号TE10的第一个脚标1表示电磁场在宽边上（x方向）有一个半波的变化，而第二个脚标0表示在窄边上（y方向）均匀分布。因此，TE10波场的特点可归结为：只存在Ey、Hz和Hx三个分量；Ey和Hx均按正弦规律分布，Hz按余弦规律分布。因而Ey和Hx同相，并与Hz反相。
（a）TE10波电场结构图
（b）TE10波磁场结构图 （c）TE10波电磁场结构总图
图2-1-2 TE10波的电磁场结构
在图2-1-2所示的矩形波导内TE10波电磁场分布中，电场线和磁场线的分布将随着时间的顺延以一定速度沿z方向在波导中向前移动。
（4）TE10波的物理图像
图2-1-3 电磁波在波导中的传播
如图2-1-3所示，矩形波导中TE10波的物理图像为：一个以入射角φ射向波导窄壁的平面电磁
波，经过窄壁的往复反射后，由入射波和反射波叠加而成TE10波。因此，沿波导轴向传播的相速度vg自然要比斜入射的平面波传播速度c大。
3．有限长波导中微波的传输特性
上面讨论的在均匀、无限长的波导中TE10波只有沿z轴传输的波，没有反射波。如果波导不是均匀和无限长的，则在波导中存在入射波（incident wave）和反射波（reflected wave），二者互相干涉使波导中电磁场形成驻波（standing wave）。在电场驻波的腹点和节点上所出现的电场极大值和极小值应该分别等于入射波电场Ei和反射波电场Er的模数之和与差，即
Emax?|Ei|?|Er|?? （2-1-4） Emin?|Ei|?|Er|?
反射系数（reflection coefficient）与驻波比（standing-wave radio，SWR）是描述波导中匹配和反射程度的物理量，也是描述驻波性质的物理量。反射系数?定义为
??
式中?为Ei和Er的相位差。
驻波比S定义为 Er?|?|ej? （2-1-5） Ei
S?|E|max （2-1-6） |E|min
?与S的关系为
1?|?|?S??1?|?|? （2-1-7） ?S?1?|?|??S?1?
由于终端情况不同，波导中电磁场的分布也不同，可以把波导的工作状态归结为三种：行波状态、驻波状态和混波状态， 2-1-4所示。
（1）行波状态。当微波功率全部为终端负载所吸收时（这种负载称为匹配负载），波导中不存在反射波，即只有行波，这种状态也称为匹配状态。在匹配状态，不存在反射波，则有电场|Ey|?|Ei|，|?|?0，S?1。
（2）驻波状态。当波导终端接短路片、开路或接纯电抗性负载时（这种反射面称为理想反射面），形成终端全反射，这时波导中形成纯驻波。在纯驻波状态，终端发生全反射，电场|Er|?|Ei|，则有|E|max?2|Ei|，|E|min?0，|?|?1，S??。
（3）混波状态。在一般情况下，负载吸收部分入射波，产生部分反射波，于是有0?|?|?1，1?S??。波导中传输的既不是行波，也不是纯驻波，而是一个行波和一个驻波的叠加，呈行驻波状态，这种状态也称为混波状态。在混波状态，终端发生部分反射，则有电场|Er|?|Ei|， Emax?|Ei|?|Er|?2|Ei|，Emin?|Ei|?|Er|?0。
篇二：近代物理实验
实验五 塞曼效应
1896年荷兰物理学家P．Zeeman（1865～1943）发现磁场能使光谱线分裂成几条波长相差很小的偏振化分谱线，这一现象被称为塞曼效应。它是研究原子结构的重要方法之一。1902年，塞曼和他的老师洛伦兹因这一发现共同获得了诺贝尔物理学奖。
本实验应用高分辨率的分光仪器法布里－珀罗标准具去观察和测量波长为546.1nm的水银光谱线（汞灯放出的光谱线还有404.7nm和435.8nm）在磁场中分裂现象及规律，计算出分裂的波长差及电子荷质比。
从塞曼效应的实验结果可以得到有关能级分裂的数据，即由能级分裂的个数可以知道能级的J值，由能级的裂矩可以知道g因子。因此直到今天塞曼效应仍是研究能级结构的重要方法之一。反过来，已知能级结构和测量出能级分裂的数据，可以计算出外加磁场强度，这是现在测量天体磁场的主要方法之一。 实验原理
１、原子的总磁矩与总角动量的关系 原子的电子由于作轨道运动产生轨道磁矩 ?L??(1)
电子还具有自旋运动产生自旋磁矩
ePL2m
PL?L(L?1)
h
2?
?S??
ePSm
h2?
J
PL
(2)
Ps?S(S?1)
PS
式中e，m分别表示电子电荷和电子质量，L、S分别表示轨道量子数和自旋量子数。
μS
轨道角动量和自旋角动量合成原子的总角动量PJ，轨道磁矩和自旋磁矩合成原子的总磁矩μ，如图(一)
μL
所示，对于L－S耦合，由于μL与PL的比值不同于μs
与Ps的比值，因此原子的总磁矩μ不在总角动量PLμ
的方向上。但由于?绕PJ运动只有μ在PJ方向的投影μJ对外平均效果不为零。按图1进行向量叠加运算，
图1 电子磁矩与角动量的关系
可以得到μJ与PJ的关系式： ?J?g
e
PJ(3) 2m
1
式中g叫朗德（Lande）因子。
g?1?
J(J?1)?L(L?1)?S(S?1)
2J(J?1)
它表征原子的总磁矩与总角动量的关系，而且决定了能级在磁场中分裂的大小。 ２、外磁场对原子能级的影响
原子的总磁矩在外磁场中受到力矩L的作用，其效果是磁矩绕磁场方向作进动，或者说，力矩L使角动量发生进动，如图2所示。 外磁场对μJ的力矩为
L??J?B(4)
?
?
?
?
式中B表示磁感应强度。旋进引起附加的能量为
s ?E???JBco?
把(3)式代入上式得
?E?g
e
PJBcos?(5) 2m
B
μJ
由于μJ和PJ在磁场中取向是量子化的，也就是PJ在磁场方向的分量是量子化的。PJ的分量只能是h的整数倍，即 PJcos??M
h
2?
β
式中M为磁量子数，M＝J，J-1，J-2，??，-J。共有2J＋1个值。把上式代入(5)式得 ?E?Mg式中?B?
eh
B?Mg?BB (6) 4?m
PJ
外磁场时的一个能级，在外磁场的作用下分裂成2J＋1个子
能级，每个能级附加的能量由(6)式决定，它正比于B和g，而能级间隔为g?B?μB。
３、塞曼能级跃迁的选择定则
设某一光谱线是由能级E2和E1间的跃迁而产生的，则其谱线频率ν与能级有如下关系
hν ＝E2- E1(7) 在外磁场的作用下，上下两能级分别分裂为2J2＋1和2J1＋1个子能级，其附加能量?E2与?E1由(6)式确定，新的谱线频率为
hν?＝（E2＋?E2）－(E1＋?E1） 分裂谱线的频率差为
2
eh
?9.274?10?24J/T，称玻尔磁子。这样，无 图2 磁矩在外磁场中 4?m 受力矩的作用
???? ???
1e(?E2??E1)?(M2g2?M1g1)B (8) h4?m
~? 用波数差表示（?
?
c
）为
~?(Mg?Mg) ??2211
式L?
e
B?(M2g2?M1g1)?L(9) 4?mc
e
B称洛伦兹单位（cm-1）其值为0.467B，B的单位用T（特斯拉）。 4?mc
选择定则为?M＝0，±1。
当?M＝0时，垂直于磁场观察时产生线偏振光的振动方向平行于磁场的称为?谱线。而平行于磁场观察?成分时不出现。
当?M＝±1时，垂直于磁场观察时产生线偏振光，线偏振光的振动方向垂直于磁场的称?谱线；平行于磁场方向观察时产生圆偏振光，圆偏振光的转向依赖于?M的正负号、磁场方向以及观察者相对磁场的方向。?M = 1，偏振转向是沿磁场方向前进的螺旋转动方向，磁场指向观察者时，为左旋圆偏振光；?M = -1，偏振转向是沿磁场方向倒退的螺旋转动方向，磁场指向
MMgB>0
观察者时，为右旋圆偏12B=03S00振光。 71
-1 -2 我们的实验是观察
汞光谱线546.1nm
546.1nm
(6s7s3S1→6s6P3P2)的塞曼分裂。根据(9)式和选23
1 3/2择定则可以求得3
6P200
546.1nm谱线的塞曼分-1 - 3/2
-2 - 3裂能级图及谱线的裂
π成分
矩、偏振态图表。
.
在外磁场作用下，
σ成分
分裂的能级图如图3所示。 图3 汞546.1nm分裂能级图 表1列出3S1和3P2
能级的各项量子数（L、S、J、M）与朗德因子g与M?g的数值。 表1
3
表2表明在外磁场中可能的跃迁及其裂距和相应的偏振态。 表2
早年把那些谱线分裂为三条，而裂距按波数计算正好等于一个洛伦兹单位的现象叫做正常塞曼效应（洛伦兹单位L?
~
eB
）。正常塞曼效应用经典理论就能给予解决。
4?mC
实际上大多数谱线的塞曼分裂不是正常塞曼效应，分裂的谱线多于三条，谱线的裂距可以大于也可以小于一个洛伦兹单位，人们称这类现象为反常塞曼效应。例如汞绿线546.1nm和纳黄线589.3nm的塞曼分裂，都是反常塞曼效应。它们只有用量子力学理论才能得到满意的解释。
ABL2
4、用法布里－珀罗（ FabryP－Perot）标准具测波长差
由于塞曼分裂的波长差很小，以正常塞曼效应为例（L＝ 4.67×10-5 B cm-1），当B＝5000
i??0.23?1。高斯时，??换算成波
长差，λ＝500.0nm，Δλ＝0.006nm。欲分辨如此小的波长差，要求分光仪器的分辩率在 图4 F-P标准具光路图
?500.0
??8.3?104?105??0.006
。因此本实验采用分辨率在105～107的多光束干涉分光仪—Fabey－Perot标准具。 (1)F－P标准具的原理及性能
F－P标准具是由两块表面光平的玻璃中间夹有一个间隔圈组成的。平面玻璃板的内表面加工精度要求高于1/30波长，表面镀有高反射膜，膜的反射率高于90%。间隔圈用膨胀系数很小的石英加工成一定厚度，以保证两玻璃板的间距d不变。
4
标准具的光路如图4所示。在光束以?角射入标准具后，在其内表面A、B之间多次反射，射向B板的光又可以透射出去，这些光束相互平行，经透镜会聚后，在P板上形成干涉花样。
从标准具透射的诸光束中，相邻两光束的光程差为：
??2ndco?s 在空气中n＝1，当光程差为波长整数倍时，产生干涉极大：
2dco?s?k? (10) k为干涉级次。同一级次对应相同的入射角?，在扩展光源照明下，F－P标准具产生等倾干涉，它的花纹是一组同心圆环。如图4所示。中心亮环 ?＝0，cos ?＝1，级次最大，kmax?
2d
?
。由于d >>?，所以k值很大，有利于实现高的分辨率。因为，多光束
干涉的分辨率定义为
?
?kNe (11) ??R
式中??R和Ne是标准具的两个特性参量。 (2)自由光谱范围（标准具的色散范围）
我们考虑两个具有微小波长差的单色光?1和?2入射到标准具的情况。设?2 > ?1，根据(10)式，对同一干涉级次k，?1和?2的极大值分别对应不同的入射角?1和?2，并且?1 > ?2，产生两套圆环花纹，波长较长在里圈，波长较短在外圈。如果?1和?2之间波长差逐渐加大，使得?1的k级与?2的k-1级花纹重叠，则有 k?1?(k?1)?2即?2??1?
?2
k
由于k很大，可用中心花纹的级数代替，即用2d＝k?，代入上式，并用?代替?2，得 ?2??1?
?2
2d
???R(12)
上式是标准具色散范围的定义。它表征标准具所允许的不同波长的干涉花纹不重叠的最大波长差。若被研究的谱线波长差大于标准具的色散范围，两套花纹就要发生重叠或错级，给分析带来麻烦。
例如，标准具d＝5mm，对500.0nm的波长而言，??R?
?2
2d
?0.025nm，可见F
－P标准具只能研究分裂波长差很有限的范围。
Ne的物理意义是两个相邻干涉级次之间能够被分辨的干涉花纹的最大数目。精细度Ne只依赖反射膜的反射率R，公式如下：
5
篇三：电子技术应用实验教程实验报告综合篇(含答案)_UESTC-大三上
常用电子测量仪器的使用
第一部分常用电子测量仪器的使用
本部分主要涉及实验要用到的三种仪器：数字示波器、信号发生器和稳压电源。学生在自学了《电子技术应用实验教程综合篇》（后称教材）第一章内容后，填空完成这部分的内容。
一、学习示波器的应用，填空完成下面的内容
示波器能够将电信号转换为可以观察的视觉图形，便于人们观测。示波器可分为模拟示波器和数字示波器两大类。其中，模拟示波器以连续方式将被测信号显示出来；而数字示波器首先将被测信号抽样和量化，变为二进制信号存储起来，再从存储器中取出信号的离散值，通过算法将离散的被测信号以连续的形式在屏幕上显示出来。我们使用的是数字示波器。
使用双踪示波器，能够同时观测两个时间相关的信号。信号通过探头从面板上的通道1和通道2端送入，分别称为CH1和CH2。
在使用示波器时，需要注意以下几点： （1）正确选择触发源和触发方式
触发源的选择：如果观测的是单通道信号，就应选择该信号作为触发源；如果同时观测两个时间相关的信号，则应选择信号周期大（大/小）的通道作为触发源。 （2）正确选择输入耦合方式
应根据被观测信号的性质来选择正确的输入耦合方式。如图1.1所示，输入耦合方式若设为交流（AC），将阻挡输入信号的直流成分，示波器只显示输入的交流成分；耦合方式设为直流（DC），输入信号的交流和直流成分都通过，示波器显示输入的实际波形；耦合方式设为接地（GND），将断开输入信号。
U
5V
1V0（A）
U图1.1输入耦合开关示意图
（B）
UU
5V2V01V
-2V
（C
）
图1.2被测信号实际波形
图1.3不同输入耦合方式时的波形
已知被测信号波形如图1.2所示，则在图1.3中，C为输入耦合方式为交流（AC）时的
·1·
电子技术应用实验教程实验报告
DIANZIJISHU YINGYONG SHIYAN JIAOCHENG SHIYAN BAOGAO
波形，A为输入耦合方式为直流（DC）时的波形，B为输入耦合方式为接地（GND）时的波形。
（3）合理调整扫描速度 调节扫描速度旋钮，可以改变荧光屏上显示波形的个数。提高扫描速度，显示的波形少；降低扫描速度，显示的波形多。在实际测试时，显示的波形不应过多，以保证时间测量的精度。
（4）波形位置和几何尺寸的调整
观测信号时，波形应尽可能处于荧光屏的中心位置，以获得较好的测量线性。正确调整垂直衰减旋钮，尽可能使波形幅度占一半以上，以提高电压测量的精度。为便于读数，一般我们调节Y轴位移使0V位置位于示波器显示窗口中的暗格上。
数字示波器中被测信号0V标志位于示波器屏幕显示区的左侧。 在使用示波器前，需要检查示波器探头的好坏。简述检查的方法。
将示波器输出的校准信号显示在示波器上，调节示波器的旋钮，使波形显示如图1.4所示。若波形如图1.5所示，0V标志位于波形的中间位置，则原因为输入耦合方式选为交流。
图1.4图1.5 图1.6
若所测得的校准信号波形如图1.6所示，图中信号的幅度为30V，则原因为探头开关设置和示波器上探头衰减系数设置值未匹配，比如探头开关设置为1?，而示波器上探头衰减系数选为10?。
在实验原始记录纸上画出示波器上显示的波形，目的是方便课后对数据的分析和整理。如图1.7所示，同一个被测信号处于示波器的不同位置，若需要在记录纸上画出这两个波形中，哪一个更容易画呢？图（A）。
·2·
常用电子测量仪器的使用
（A）（B）
图1.7
所以，在画示波器上的波形前，最好先调节旋钮使波形的关键点位于示波器的暗格上，
这样在画图时容易定位。
二、学习信号发生器的应用，填空完成下面的内容
实验中，信号发生器（又称信号源）的作用是为被测电路提供输入信号。你所使用的信号发生器型号为。
在使用信号源之前，需要检查开路电缆线，检查方法为：
用信号源产生一个1kHz的三角波，并在示波器上显示出来。信号源的开路电缆线应接在50?输出端口。调节直流偏置（OFFSET）旋钮，使输出的直流偏置为0V，调节旋钮，使在示波器观测到的三角波的峰峰值为10V。
用信号源产生一个1kHz的TTL信号，并在示波器上显示出来。信号源的开路电缆线应接在TTL/CMOS端口。在示波器上调整
TTL
信号的位置如图1.8所示，则在记录纸上画出波形并记录参数，如图1.9所示。在记录时不仅要画出波形的形状，还要记录0V的位置，垂直和水平方向的挡位选择，这样才能在数据整理时从图中得到波形参数。
·3·
电子技术应用实验教程实验报告
DIANZIJISHU YINGYONG SHIYAN JIAOCHENG SHIYAN BAOGAO
图1.8图1.9
测试可知，该TTL信号的低电平为 0V ，高电平为3V，周期为1ms ，频率为1000Hz。 三、学习直流稳压电源的应用，填空完成下面的内容
实验中，直流稳压电源的作用是为被测电路提供稳定的直流电压或电流。你所使用的稳压电源型号为______________________。该稳压电源能输出连续可调的输出电压和稳流电流，可同时显示双路输出电压和电流，且具有三（两）路输出。
使用稳压电源输出10V的稳定电压，具体调节方法为：
四、实验数据的整理
在完成实验后，需要将实验的原始数据进行整理，并将数据以表格或图形的方式表示出来。整理后的数据应完备，输入、输出各项参数应准确；图形应清晰，输入、输出波形应一列排出，坐标轴纵轴对齐，横轴单位长度的选取应便于时序的观察；周期信号应在波形中至少表达出一个完整的周期并在波形图上标出周期和幅度。
在坐标纸上画出实验所测得的波形时，应在图上标出相关的参数。不仅要正确描述波形的形状，而且要将相关参数标在图上。例如，原始数据记录如图1.9所示，则整理后的波形图，如图1.10。
·4·
常用电子测量仪器的使用
v(V)
3 2 1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t(ms)
图1.10
已知原始数据记录波形如图1.11所示，在图1.12的坐标纸上画出整理后的波形图。
1.11图1.12
已知原始数据记录波形如图
1.13
所示，在图
1.14的坐标纸上画出整理后的波形图。
1.13图1.14
·5·
图图
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